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背景：In2O3是最重要的半導(dǎo)體金屬氧化物之一，主要是因?yàn)樗哂袑拵?、高電子遷移率和加工通用性。為此，可以使用可擴(kuò)展且廉價(jià)的基于溶液的沉積方法來制備高質(zhì)量的In2O3薄膜，從而使···
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背景：金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為新興的透明和柔性微電子應(yīng)用提供了絕佳的機(jī)會(huì)。不幸的是，它們的性能受到與寄生效應(yīng)相關(guān)的限制的阻礙，例如寄生電極重疊電容和高接觸電阻，這會(huì)嚴(yán)重限制···
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